| 型号： | IPI086N10N3 G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPI086N10N3 G PDF |  |
| 标准包装 | 500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8.6 毫欧 @ 73A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 75µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | SP000485982 SP000683070 |